本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，昆山一鼎工业科技有限公司申请一项名为“基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法”的专利，公开号 CN 119047377 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，属于双面半导体电子电镀技术领域。本发明通过计算空间流体力学模型与实验数据反馈相结合不断构建、完善CFD空间模型，从而快速确立各种不同构造半导体器件的最佳清洗生产条件，经过CFD空间模型的不断迭代、升级以提高CFD空间模型的精度，有助于改进用于双面水洗半导体器件的双面清洗装置的各项参数从而获取最优的镀件双面水洗控制方式不仅能实现半导体器件双面清洗的均匀性，还能够实现彻底均匀清洗半导体器件，达到其表面无白斑、无污物和无色差的基本要求。
