升新科技取得射频芯片封装结构专利,最大化提升无线射频芯片的性能

升新科技取得射频芯片封装结构专利,最大化提升无线射频芯片的性能
2024年12月02日 09:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,升新科技(南京)有限公司取得一项名为“射频芯片封装结构”的专利,授权公告号 CN 222071947 U,申请日期为2024年4月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种射频芯片封装结构,封装结构包括:基板、源端射频芯片和功率放大芯片;基板的第一表面贴附功率放大芯片的区域设置有第一通孔,第一通孔内填充有第一金属体,功率放大芯片通过导热胶体与第一金属体接触连接;基板的第一表面贴附源端射频芯片的区域设置有第二通孔,第二通孔内填充有第二金属体,第二金属体的表面下沉于基板的第一表面,以与基板形成凹陷结构,源端射频芯片容置于凹陷结构内,并通过导热胶体与第二金属体接触连接;所述第一金属体被构造为第一散热焊盘,所述第二金属体被构造为第二散热焊盘。 本实用新型所提供的技术方案能够最大化提升无线射频芯片的性能。

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