本文源自:金融界
金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市同和光电科技有限公司申请一项名为“红外 PD 芯片二极结敏感度提升方法及设备”的专利，公开号 CN 119047386 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本发明涉及红外 PD 芯片设计技术领域，公开了一种红外 PD 芯片二极结敏感度提升方法及设备，其中，该方法包括：对红外 PD 芯片的 PN 结进行多结构建模，构建多结构 PN 结模型；计算载流子分离效率与 PN 结结构参数的映射关系；创建载流子增强结构模型；将载流子增强结构模型的几何参数作为状态变量输入深度强化学习模型，以光电响应模型为奖励函数进行参数优化，得到最优 PN 结结构参数；基于最优 PN 结结构参数进行响应度计算，并评估红外 PD 芯片的敏感度提升指标，该方法用于构建包含归一化探测率、探测概率和误报率的综合性能评分系统，实现了对红外 PD 芯片在实际应用中性能的全面评估。
