本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体测试方法及电子设备”的专利，公开号 CN 119049992 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体测试方法及电子设备。所述半导体测试方法包括如下步骤：提供一半导体待测样品以及测试文件，所述半导体待测样品的不同位置均为同一成分，所述测试文件包括需要进行测试的所有缺陷位置；获取唯一参考位置的唯一参考样本，所述唯一参考位置为所有所述缺陷位置以外的位置；获取所有所述缺陷位置的缺陷检测样本；将每一所述缺陷检测样本分别与所述唯一参考样本对比，获取缺陷检测结果。上述技术方案，针对无图形层晶圆表面材质一致的特点尽可能简化了晶圆缺陷分析方法，减少扫描电镜数据处理量，减少了获取参考样本的时间，并且用定性分析代替定量分析，极大地提高晶圆分析的效率。
