本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SONOS存储器选择管侧墙自对准刻蚀的工艺方法”的专利，公开号 CN 119049966 A，申请日期为 2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种SONOS存储器选择管侧墙自对准刻蚀的工艺方法，包括：步骤1)提供一半导体结构，包括半导体衬底及存储管结构；步骤2)于存储管结构的侧壁形成侧墙，并于半导体衬底的表面形成栅氧化层；步骤3)于通过步骤2)形成的半导体结构的表面沉积多晶硅层及第一硬掩模层；步骤4)采用自对准刻蚀工艺刻蚀第一硬掩模层及多晶硅层直至靠近侧部第一硬掩模层的多晶硅层与侧部第一硬掩模层之间形成凹槽；步骤5)于通过步骤4)形成的半导体结构的表面形成第二硬掩模层；步骤6)采用自对准刻蚀工艺刻蚀第二硬掩模层及多晶硅层以形成选择管结构。通过本发明形成表面平整的选择管结构，解决了现有的存储管与选择管之间的间隔较大的问题。
