本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号 CN 119049961 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域。制备方法为，首先在衬底上形成栅极，衬底的材料包括碳化硅，衬底还包括位于栅极的相对两侧的源极区；然后形成第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层依次覆盖栅极，且暴露源极区；接着形成导电层，导电层位于源极区及第二介质层上；最后去除第二介质层，及导电层的位于第二介质层上的部分。本申请的技术方案可通过去除第二介质层的同时，去除位于第二介质层上的导电层，去除效果良好，可避免工艺过程中导电层在栅极 第一介质层上的残留，提高器件的良品率和可靠性。
