本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“优化刻蚀副产物及水汽凝结缺陷的方法”的专利，公开号 CN 119049956 A，申请日期为 2024 年 8 月 。
专利摘要显示，本发明公开了一种优化刻蚀副产物及水汽凝结缺陷的方法，包括：S1，执行第一次光刻工艺；S2，执行干法刻蚀工艺；S3，执行第一次干法去除工艺；S4，执行第一次湿法去除工艺；S5，执行第二次光刻工艺；S6，执行多次离子注入；S7，执行第二次干法去除工艺；S8，执行第二次湿法去除工艺。本发明在传统工艺干法刻蚀后添加干法去除和湿法去除，去除残留光刻胶和刻蚀副产物，再正常光刻显影后进行离子注入，可以从源头避免副产物水汽凝结缺陷，尤其是可以有效改善 small size 产品留置时间较长后刻蚀副产物及水汽凝结缺陷的问题，从而避免良率损失。
