本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种改善硅表面氧化物回粘缺陷的清洗方法、半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN 119049959 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改善硅表面氧化物回粘缺陷的清洗方法。所述方法包括以下步骤：步骤S1，提供晶圆置于清洗槽中，所述晶圆包括：硅衬底以及覆盖所述硅衬底表面的牺牲氧化层；步骤S2，依次使用SPM溶液、第一HF溶液对晶圆进行第一清洗，去除部分厚度的牺牲氧化层；步骤S3，依次使用第二HF溶液、SC1溶液、SC2溶液对所述第一清洗过的晶圆进行第二清洗，去除晶圆表面剩余的牺牲氧化层。本发明首先通过第一清洗去除部分厚度的牺牲氧化层，避免硅衬底暴露产生氧化物回粘缺陷；再通过第二清洗去除剩余的牺牲氧化层，第二清洗时第二HF溶液中的氧化物含量显著降低，暴露的硅衬底表面回粘氧化物的风险也随之降低，本发明清洗方法有效改善了硅表面氧化物回粘缺陷的产生。
