本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，珠海镓未来科技有限公司申请一项名为“具有环状电极结构的半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN 119050138 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种具有环状电极结构的半导体器件及其制作方法，应用于电子器件技术领域。半导体器件主要是在外延结构的有源区外围设置隔离区，并在有源区用栅极将源极包围起来，相邻电极组的源极为不同电位的电极，最上端和最下端的电极组中的源极也为不同电位的电极，而在隔离区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域，这样通过金属环结构及离子注入区域可以将有源区内的源极得到有效地可靠性提升，从而实现了半导体器件的高可靠性。
