本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，天马微电子股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN 119050118 A，申请日期为2017年9月。
专利摘要显示，本发明涉及 半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：绝缘基板；多晶硅层；第一栅极绝缘层；第一金属层；氧化物半导体层；第二栅极绝缘层；第二金属层；第一层间绝缘层；第三金属层；第一薄膜晶体管，其将多晶硅层用作沟道并具有源极、漏极及栅极；以及第二薄膜晶体管，其将氧化物半导体层用作沟道并具有源极、漏极及栅极，第一薄膜晶体管的栅极由第一金属层构成，第二薄膜晶体管的栅极由第二金属层构成，第一薄膜晶体管的源极和漏极以及第二薄膜晶体管的源极和漏极由第三金属层构成，第一薄膜晶体管的源极或漏极和第二薄膜晶体管的栅极相互电连接。
