本文源自:金融界
金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119050129 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以抑制寄生沟道漏电，提高半导体器件的工作性能，且提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。半导体基底包括依次层叠设置的硅衬底、埋氧化层和顶硅层。有源结构设置在顶硅层上。有源结构包括源区、漏区和至少一层纳米结构。源区和漏区直接位于顶硅层上。顶硅层位于至少一层纳米结构下方的部分开设有贯穿的开口槽。每层纳米结构包括第一半导体材料部、以及环绕在第一半导体材料部外周的第二半导体材料部。第二半导体材料部分别与第一半导体材料部和顶硅层的材料不同。栅堆叠结构设置在埋氧化层上、且环绕在每层纳米结构的外周。
