本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119050140 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底内包括第一掺杂离子，所述衬底包括相对分布的正面和背面；外延层，位于所述衬底的正面上，所述外延层中包括所述第一掺杂离子；栅极结构，位于所述外延层背离所述衬底的表面上；漏电极，位于所述衬底的背面上；隔离结构，位于所述外延层内，所述隔离结构背离所述衬底的表面与所述外延层背离所述衬底的表面平齐，且所述栅极结构在所述外延层上的正投影覆盖所述隔离结构。本发明减小了半导体结构内栅电极与漏电极之间的寄生电容效应。
