本文源自:金融界
金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“集成电路器件结构和双侧制造技术”的专利，公开号 CN 119050097 A，申请日期为 2017 年 8 月。
专利摘要显示，集成电路单元架构包括前侧和背侧结构二者。背侧注入、半导体沉积、电介质沉积、金属化、膜图案化和晶 片层级层转移中的一种或多种与前侧处理集成。这种双侧处理可能需要显露从衬底的前侧制造的结构的背侧。可以构建宿主‑施主衬底组件以在背侧处理期间支撑并保护前侧结构。可以在背侧处理期间修改和/或互连前侧器件，例如 FET。可以将诸如 FET 的背侧器件与前侧器件集成以扩展器件功能、改善性能或增大器件密度。
