本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN 119050113 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决有源区临界尺寸均匀性差的技术问题。该半导体器件包括衬底，衬底设有多个第一有源结构、隔离各第一有源结构的第一隔离结构、第二有源结构，以及第二隔离结构；多个第一有源结构均沿第一方向延伸，且包括第一有源片段和第二有源片段；第二有源结构与第二有源片段直接接触，第二有源结构背离第二有源片段的一侧为有源边界，在第一有源结构延伸方向的第二有源结构内开设有多个第一沟槽，第一沟槽位于第二有源片段与有源边界之间；第二隔离结构填充在第一沟槽内。第二有源片段与第二有源结构接触，且第二有源结构内设置有第一沟槽，以提高第一有源结构临界尺寸的均匀性。
