本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“具有碳化硅欧姆接触的半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119050133 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种具有碳化硅欧姆接触的半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：碳化硅衬底；单晶的碳化硅外延层，形成在碳化硅衬底之上；第一掺杂区域，自碳化硅外延层的上表面向下形成第一掺杂区域；多晶的碳化硅层，覆盖在第一掺杂区域之上，第一掺杂区域和所述碳化硅层的掺杂类型相同，碳化硅层的掺杂浓度高于所述碳化硅外延层的掺杂浓度；合金金属层，覆盖在所述碳化硅层之上；其中，多晶的所述碳化硅层和单晶的碳化硅外延层都是碳化硅材料，多晶的所述碳化硅层和所述合金金属层之间形成隧穿。本申请解决了传统的欧姆接触对制备工艺要求极高的技术问题。
