黄桷树半导体申请一种QFN6x6-40L全集成智能功率模块专利,在相同功率密度条件下温升低于one chip芯片方案

黄桷树半导体申请一种QFN6x6-40L全集成智能功率模块专利,在相同功率密度条件下温升低于one chip芯片方案
2024年12月02日 14:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,黄桷树半导体(重庆)有限公司申请一项名为“一种QFN6x6-40L全集成智能功率模块”的专利,公开号CN 119050106 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明

公开一种QFN6x6‑

40L全集成智能功率

模块,其包括:铜框

架、电机控制IC 芯

片、驱动IC芯片、功

率芯片和塑封体,其

中,所述电机控制IC

芯片、驱动IC芯片、

功率芯片设置在所

述铜框架上,且通过

塑封体封装,所述铜

框架延伸至塑封体

的外露部分形成引脚,本发明将一种芯片拆分成电机控制IC芯

片、驱动IC芯片,功率芯片三大块,工艺复杂度降低,三者相加

的成本也是远远小于one chip芯片。在相同功率密度条件下,

本发明温升低于one chip芯片方案,本申请实施例与传统分离

方案相比,具有高集成度、降低硬件设计难度、减少工程问题,

可减少PCB板面积,降低成本。

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