扬杰电子申请 SiC MOSFET 器件及制备方法专利，减轻对栅氧化层的电压应力保护栅氧化层_

本文源自:金融界

金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种更好保护栅氧的 SiC MOSFET 器件及制备方法”的专利，公开号 CN 119050150 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，一种更好保护栅氧的 SiC MOSFET 器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明向器件栅极中间底部的 SiC Drift 层离子注入形成重掺杂的 PP 区，并在 PP 区的顶面通过制备实现欧姆接触，使栅极 Poly 层与 PP 区相连接。在栅极 Poly 层受驱动电压时，PP 区可以释放一部分栅极驱动电压应力，从而减轻对栅氧化层的电压应力，保护了栅氧化层，而在器件阻断过程中，PP 区由于处于栅极底部，又可以屏蔽漏极电压产生的电场集中，再次保护了栅氧化层。