扬杰电子申请内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备方法专利，改善器件长期稳定使用_

本文源自:金融界

金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFET 及制备方法”的专利，公开号 CN 119050148 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，一种内置混合型体二极管的 SiC MOSFE 及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在沟槽栅 SiC MOSFET 器件内部集成 SBD 二极管和 PN 结二极管，形成混合型体二极管，实现了对器件长期稳定使用的改善。在 Is 续流过程中，SBD 体二极管作为续流管先行开启，避免了空穴进入到 SiC Drift 层中发生双极退化效应；在器件经 Issm 大浪涌电流时，PN 结体二极管开启，从而提高了器件承受大浪涌电流冲击能力。