扬杰电子申请一种微沟槽 SiC MOSFET 器件及制备方法专利，实现对器件栅氧化层的保护并减小内阻增加_

本文源自:金融界

金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种微沟槽 SiC MOSFET 器件及制备方法”的专利，公开号 CN 119050149 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，一种微沟槽 SiC MOSFET 器件及制备方法，涉及半导体技术领域。通过在器件栅极处微沟槽刻蚀形成凸台区，在凸台区的底部注入形成 P‑shield 区，实现了对器件栅氧化层的保护并且还同时减小了 P‑shield 区所带来的器件内阻增加。在器件阻断过程中，凸台区底部的 P‑Shield 区可以很好的屏蔽电场，避免电场在栅氧化层集中。而又因 P‑Shield 区的底面相较于 P body 区处于较高位置因此 P shield 区所引起的内阻增加会较小，不会过多影响器件的性能。