本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构、电路及电子设备”的专利，公开号CN 119050115 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构、电路及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提供一种高性能的半导体器件。半导体结构包括衬底、第一P型掺杂区和第二P型掺杂区以及第一导电栅极。第一P型掺杂区和第二P型掺杂区互为源极掺杂区和漏极掺杂区，第一P型掺杂区和第二P型掺杂区相邻设置于衬底内。第一导电栅极设置于第一P型掺杂区和第二P型掺杂区之间间隙的远离衬底一侧。其中，第一P型掺杂区包括第一缓冲层以及第一本征层；第一缓冲层围设出第一凹槽，第一凹槽具有靠近第二P型掺杂区的第一槽臂，第一槽臂各位置处均未超出第一槽臂远离衬底的端部；第一本征层位于第一凹槽内。半导体结构可以应用于晶体管电路中。
