本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件的焊盘结构”的专利，公开号CN 119050087 A，申请日期为2020年9月。
专利摘要显示，本公开内容的方面提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括面对面键合的第一管芯和第二管芯。第一管芯包括：在半导体部分中的在第一管芯的正面侧上形成的第一晶体管、和布置在半导体部分外部的绝缘部分中的至少一个接触结构。第二管芯包括衬底和在第二管芯的正面侧上形成的第二晶体管。此外，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上的第一焊盘结构，并且第一焊盘结构与所述接触结构导电耦合。所述接触结构的端部从绝缘部分突出到第一焊盘结构中。此外，在一些实施例中，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上并且与半导体部分导电连接的连接结构。
