本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119050080 A，申请日期为 2023年5月 。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括键合区；第一钝化层，凸立于所述第一晶圆的顶部；开口，位于所述键合区的第一钝化层中；焊垫层，位于所述开口中以及所述第一钝化层的顶部，且位于所述第一钝化层顶部的焊垫层高于位于所述开口中的焊垫层；凸点下金属化层，位于所述焊垫层的顶部和侧壁导电凸块覆盖所述凸点下金属化层通过凸点下金属化层与焊垫层包括水平方向的交界面和竖直方向的交界面，使凸点下金属化层与焊垫层之间的结合力包括水平方向的结合力和竖直方向的结合力，增大了凸点下金属化层与焊垫层之间结合力，降低了凸点下金属化层与焊垫层之间出现分层或者缝隙的风险，从而提高了半导体结构的性能。
