成都纤声申请一种声学压电结构及其制备方法专利,优化第一电极引出孔性能

成都纤声申请一种声学压电结构及其制备方法专利,优化第一电极引出孔性能
2024年12月03日 08:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月3日消息,国家知识产权局信息显示,成都纤声科技有限公司申请一项名为“一种声学压电结构及其制备方法”的专利,公开号 CN 119053227 A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明提供一种声学压电结构及其制备方法,涉及声学传感技术领域,方法通过在加工第一电极引出孔的过程中,分多次刻蚀,减少了单次刻蚀的厚度,从而优化大厚度、难刻蚀压电薄膜刻蚀过孔中所存在的光刻胶消耗过快的现象。并且在多次刻蚀中的每次刻蚀中均充分利用电极层与压电层之间的材质差异,精确控制每次刻蚀的深度较为适宜,优化子孔的形貌,从而使得最终所形成的第一电极引出孔具有良好的性能,方便该制备方法批量应用于晶圆的加工制造中。

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