能丰光电申请高透光高导电的IMI型透明电极制备方法及其应用专利,兼顾电极结构导电性和透光性

能丰光电申请高透光高导电的IMI型透明电极制备方法及其应用专利,兼顾电极结构导电性和透光性
2024年12月03日 08:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月3日消息,国家知识产权局信息显示,能丰(杭州)光电科技有限公司申请一项名为“一种高透光高导电的IMI型透明电极制备方法及其应用”的专利,公开号CN 119053221 A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本申请公开了一种高透光高导电的IMI型透明电极制备方法及其应用,包括:制备空白玻璃组;在空白玻璃上分别镀不同掺氧比例但厚度相同的ITO单膜,测试平均方阻值以及平均可见透过率AVT得到最佳掺氧比例在空白玻璃上分别镀不同厚度的ITO膜,然后分别在ITO单膜上镀相同厚度的金属,最后在金属层上镀不同厚度的ITO膜,测试每组三明治电极的性能得到最佳ITO镀膜厚度;分别制备单层膜玻璃组和双膜夹金属玻璃组进行性能测试得到最佳金属层厚度;采用最佳掺氧比例、最佳ITO镀膜厚度以及最佳金属层厚度制备得到IMI型透明电极,本透明电极能够兼顾电极结构的导电性和透光性,适用于有机太阳电池。

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