美光科技申请具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元专利,存储器单元性能优化

美光科技申请具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元专利,存储器单元性能优化
2024年12月03日 08:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月3日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司申请一项名为“具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元”的专利,公开号 CN 119053238 A,申请日期为2022年5月。

专利摘要显示,本申请涉及具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元。存储器单元可包含第一电极、第二电极及所述第一电极与所述第二电极之间的自选择存储元件。所述块体区域可延伸在所述第一电极与所述侧壁区域之间。所述块体区域可包含具有第一组合物的硫属化物材料,且所述侧壁区域可包含具有不同于所述第一组合物的第二组合物的所述硫属化物材料。而且,所述侧壁区域可将所述块体区域与所述第二电极分离。

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