本文源自:金融界
金融界2024年12月3日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“具有可调的高垂直磁各向异性的磁隧道结”的专利，公开号CN 119053234 A，申请日期为2019年2月。
专利摘要显示，本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆叠。利用含铁氧化物覆盖层产生合乎需要的PMA。通过利用含铁氧化物覆盖层，可以更精细地控制覆盖层的厚度，并且减少了在磁性存储层和覆盖层的界面处对硼的依赖。
