本文源自:金融界
金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“薄膜沉积装置与加热基座”的专利，公开号CN 119061380 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开涉及一种薄膜沉积装置与加热基座，加热基座包括支撑部。支撑部用于支撑衬底，支撑部包括主体部以及依次间隔地设置于主体部的外周上的至少两个第一凸耳。第一凸耳设有用于与反应腔室的底部滑动配合的抵接侧壁。抵接侧壁远离于主体部的部位与主体部的外周轮廓的距离设为S，距离S在抵接侧壁的顶部至抵接侧壁的底部的方向上呈逐渐减小趋势。在安装过程中，使至少两个第一凸耳分别同步滑动装入到反应腔室的底部至少两个定位凹部内，能实现定位针与反应定位孔自动高精准对位，使得定位针顺利装入到定位孔中，达到一次安装成功的效果，从而能减少安装时间与人力物力，以及减少氦测有漏导致重新安装的风险，减少密封圈等零件损坏的概率。
