ASM IP 申请“反应器盖和使用其的原子层沉积设备”专利,将产生的等离子体和处理气体均匀地分散在晶片 的整个表面上

ASM IP 申请“反应器盖和使用其的原子层沉积设备”专利,将产生的等离子体和处理气体均匀地分散在晶片 的整个表面上
2024年12月04日 10:56 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 12 月 4 日消息,国家知识产权局信息显示,ASM IP 私人控股有限公司申请一项名为“反应器盖和使用其的原子层沉积设备”的专利,公开号 CN 119061378 A,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,公开了一种反应盖和使用该反应盖的具有远程等离子体单元(RPU)的等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备。反应盖可以包括:气体入口,其配置成使产生的等离子体和处理气体流入晶片 处理空间;顶部,其设置在气体入口下方并具有截头圆锥形状,该顶部限定用于流动产生的等离子体和处理气体的 Wafer 处理空间;侧壁部,其设置在顶部下方;以及挡板,其放置在气体入口下方的顶部的嘴部处,并且配置成通过防止产生的等离子体和处理气体集中在 Wafer 的中心来将产生的等离子体和处理气体均匀地分散在 Wafer 的整个表面上,其中,Wafer 处理空间也由侧壁部限定。

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