梅勒克申请用于磁控溅射的方法专利,以创新方式改善溅射效果

梅勒克申请用于磁控溅射的方法专利,以创新方式改善溅射效果
2024年12月04日 10:56 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月4日消息,国家知识产权局信息显示,梅勒克有限公司申请一项名为“用于磁控溅射的方法”的专利,公开号 CN 119061367 A,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本发明涉及一种用于借助于磁控溅射在沉积室(12)中在应用至少一个磁控管(16;16a, 16b)的情况下在基底上沉积层的方法,在所述磁控管处施加有电供给电压,其包括三种相叠加的电激励形式(60、62、64)。所述电激励形式包括通过具有 1MHz 至 10GHz 的频率的高频电压所形成的第一激励形式(60)、以具有 100Hz 至 5kHz 的频率的高能脉冲(HIPIMS)为形式的第二激励形式(62)和通过具有在 10kHz 与 100kHz 之间的频率的脉冲直流电压或中频交流电压所形成的第三激励形式(64)。

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