中芯国际申请版图结构及形成方法等专利,有效提升最终形成的芯片的性能

中芯国际申请版图结构及形成方法等专利,有效提升最终形成的芯片的性能
2024年12月04日 18:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月4日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 申请一项名为“版图结构及形成方法、掩膜版图、芯片的形成方法”的专利,公开号CN 119065195 A,申请日期为2023年5月。

专利摘要显示,本发明提供一种版图结构及形成方法、掩膜版图、芯片的形成方法,其中版图结构包括:功能区,所述功能区具有功能图形;被所述功能区包围的多个监控区,所述监控区具有监控图形;能够有效提升最终形成的芯片的性能。

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