本文源自:金融界
金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备”的专利，公开号CN 119069332 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备，所述方法包括：测量基片的直流自偏压，获得对应的自偏压测量值；基于所述自偏压测量值计算自偏压补偿值；向所述下电极组件施加第一直流电压，所述第一直流电压的电压值为所述自偏压补偿值，实现所述下电极组件与基片之间的电压差值小于预设的第一阈值。其优点是：通过向下电极组件施加电压值为自偏压补偿值的第一直流电压，有效减少了基片与下电极组件之间的电压差，大大降低了高深宽比刻蚀中下电极组件发生电弧放电的概率，提高了基片加工的安全性。
