本文源自:金融界
金融界 2024 年 12 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“MIM 电容器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119069463 A，申请日期为 2023 年 6 月。
专利摘要显示，本发明提供一种 MIM 电容器件及其制造方法，其在刻蚀第二金属层间介质层形成第一开口和第二开口之前，先在第二金属层间介质层上沉积缓冲介质层并对其顶面平坦化，由此，一方面能够提供更安全的工艺窗口，另一方面能保证在第一开口和第二开口中填充金属且进行顶面平坦化后，可以留有稳定的上极板金属线厚度，进而解决因工艺极限所产生的金属残留导致下极板金属线与其周围金属线桥接的问题，也能解决因上极板金属线厚度(例如厚度过薄)不可控而导致上极板金属线的电阻无法精确控制的问题，最终提高器件可靠性。此外，上极板通过上极板金属线引出，省略了相应的通孔，工艺更简单，接触电阻更低。
