本文源自:金融界
金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种应力预防方法、封闭环结构及芯片”的专利，公开号 CN 119069469 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明属于半导体工艺技术领域，尤其涉及一种应力预防方法、封闭环结构及芯片（010），既可以释放芯片的边界应力，又可避免过度长距离开槽带来的结构弱点；于版图设计阶段在芯片（010）图形中设置应力预防结构，在预设的环形区域，分布有至少一道第三间断环结构（300）；进一步地，可通过调整该第三间断环结构（300）的占空比、宽度、组数来改进应力分布特性；其中，第三间断环结构（300）可采用均匀分布的第三槽结构（333）来承担，该第三槽结构（333）与上述环形区域中心线平行或呈预设的第六夹角（666），其第三槽结构（333）具备预设的第五深度（555），可改善封闭环结构的应力累积效应，规避由此带来的性能缺陷、良率、可靠性等风险或问题。
