本文源自:金融界
金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，深圳众诚达应用材料股份有限公司申请一项名为“一种高导电导热的硅靶材及其制备方法和光学元件”的专利，公开号CN 119082688 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及靶材制备技术领域，提供一种高导电导热的硅靶材及其制备方法和光学元件，包括：将硅残靶和硼粉进行第一气流粉碎得到硅硼混合粉；将硅硼混合粉进行热压处理得到硅硼合金锭；将硅硼合金锭机械破碎至5mm以下后进行第二气流粉碎，分级得到硅硼合金粗粉和硅硼合金细粉；将硅硼合金细粉和溶剂进行球磨混合形成浆料；将浆料喷到硅硼合金粗粉中，进行滚动造粒得到造粒粉；将造粒粉热喷涂到背管上，机加工得到硅靶材。本申请通过添加硼粉与硅残靶一起进行气流粉碎，使硅残靶粉碎和硼粉混合均匀，然后经过热压处理使硅硼混合粉形成合金，再经过二次气流粉碎使硅硼合金粉的硼分布更加均匀，从而实现掺杂微量硼以显著改善硅靶材的导电导热性能。
