本文源自:金融界
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海联影微电子科技有限公司申请一项名为“多晶硅压敏电阻和压阻式传感器”的专利，公开号 CN 119092231 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本申请涉及一种多晶硅压敏电阻和压阻式传感器，其中，多晶硅压敏电阻包括多晶硅压敏电阻区、金属旁路区以及端电极；多晶硅压敏电阻区与金属旁路区至少部分交叠形成交叠区，端电极与多晶硅压敏电阻区形成欧姆接触。通过本申请中多晶硅压敏电阻区和金属旁路的混合结构的多晶硅压敏电阻，能够提高多晶硅压敏电阻的横向应变系数，解决了目前多晶硅压敏电阻的横向应变系数较低的问题，有利于压阻式传感器灵敏度的提升。
