本文源自:金融界
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN 119092465 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，包括若干顶层金属层，位于相邻顶层金属线之间的切割道；在顶层金属层边缘形成辅助金属层；在顶层金属层和辅助金属层的表面均形成钝化层，钝化层同时覆盖辅助金属层的侧壁和切割道的表面；在顶层金属层上方的钝化层的表面形成图案化的光刻胶层；刻蚀未覆盖的钝化层，刻蚀过程中产生聚合物形成第一聚合物层和第二聚合物层，第一聚合物层覆盖图案化的光刻胶层的侧壁和剩余的钝化层的侧壁，第二聚合物层覆盖辅助金属层的侧壁；去除图案化的光刻胶层，覆盖图案化的光刻胶层的第一聚合物层被去掉，剩余的第一聚合物层覆盖钝化层的侧壁；使用清洗液清洗去除第一聚合物层和第二聚合物层。
