本文源自:金融界
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119092543 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以抑制寄生沟道漏电，提高半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：半导体基底、以及形成在半导体基底上的有源结构、漏电抑制结构和栅堆叠结构。漏电抑制结构的导电类型与有源结构包括的源区和漏区的导电类型相反。漏电抑制结构包括材料不同的第一外延掺杂部和第二外延掺杂部，第二外延掺杂部形成在第一外延掺杂部上，第一外延掺杂部的材料不同于至少一层纳米结构的材料。在漏电抑制结构位于至少一层纳米结构下方的部分中，第一外延掺杂部的宽度小于第二外延掺杂部的宽度。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构的外周、以及环绕在漏电抑制结构位于至少一层纳米结构下方的部分的外周。
