本文源自:金融界
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“超级结器件及形成方法”的专利，公开号 CN 119092530 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种超级结器件及形成方法，包括：在衬底的正面形成第一导电类型的外延层；形成零层对准标记；形成第二导电类型柱光刻对准中心，与零层对准标记对准，在外延层内形成第二导电类型柱；形成阱区光刻对准中心，阱区光刻对准中心与零层对准标记具有偏移距离，在靠近外延层表面的外延层内形成若干个间隔的阱区，部分阱区位于第二导电类型柱的表面；形成栅极光刻对准中心，栅极光刻对准中心与零层对准标记对准，在外延层的表面形成栅极；形成源区光刻对准中心，源区光刻对准中心与零层对准标记对准，在栅极两侧的阱区内形成源区，两侧的源区分别位于相邻的两个阱区内；在靠近背面的衬底内形成漏区。本发明形成了不同的开启电压。
