本文源自:金融界
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种多芯片堆叠的封装结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119092513 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种多芯片堆叠的封装结构及其制备方法，该封装结构包括载体框架、上叠芯片组、下叠芯片组、塑封层和重布线层，载体框架包括至少一个导电柱和芯片贴装区，上叠芯片组和下叠芯片组纵向堆叠在芯片贴装区，芯片 I/O 接口设置在两侧边缘，塑封层包覆载体框架、上叠芯片组和下叠芯片组；在塑封层的顶面和底面分别设置至少一层重布线层，通过导电柱实现重布线层、上叠芯片组和下叠芯片组的电气连接。本发明还公开了上述封装结构的制备方法。本发明采用的 3D Fanout 多芯片封装结构，可以实现多个芯片的立体堆叠，从而大大提高了封装密度，相比现有的二维封装方式，可以节省更多的空间，实现更高密度的封装。
