本文源自:金融界
金融界 2024 年 12 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，润新微电子（大连）有限公司申请一项名为“一种耗尽型 GaN 器件及 HEMT 级联型器件”的专利，公开号 CN 119092540 A，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体公开了耗尽型 GaN 器件及 HEMT 级联型器件，耗尽型 GaN 器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二介电层中，栅电极位于第二介电层中，金属连接条贯穿叠层结构和第二介电层的厚度方向，且金属连接条的一端与衬底连接，金属连接条的另一端与源电极或栅电极连接。本发明的 HEMT 级联型器件，在封装后，实现了在耗尽型 GaN 器件的源电极与栅电极之间并联电容，能够有效钳制瞬态下的 GaN 器件的源电极与栅电极之间的电压差，使得整个 HEMT 级联型器件的电压匹配。
