晶元光电申请半导体元件排列结构及其制作方法专利,最短距离大于 3μm 小于 25μm

晶元光电申请半导体元件排列结构及其制作方法专利,最短距离大于 3μm 小于 25μm
2024年12月10日 10:51 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 12 月 10 日消息,国家知识产权局信息显示,晶元光电股份有限公司申请一项名为“半导体元件排列结构及其制作方法”的专利,公开号 CN 119092500 A,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,本发明公开一种半导体元件排列结构及其制作方法,半导体元件排列结构包含一基板及多个半导体元件。基板具有一上表面;多个半导体元件彼此分离且交错地配置于上表面上,包含一第一半导体元件与一第二半导体元件;其中,第一半导体元件具有一第一内角,第二半导体元件具有一第二内角,且第一半导体元件与第二半导体元件具有一最短距离位在第一内角与第二内角之间;其中,最短距离大于 3μm 小于 25μm。

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