厦门乾照光电申请一种LED芯片及其制作方法专利,避免制作透明导电层时等离子体轰击到第二型半导体层产生缺陷

厦门乾照光电申请一种LED芯片及其制作方法专利,避免制作透明导电层时等离子体轰击到第二型半导体层产生缺陷
2024年12月10日 10:56 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月10日消息,国家知识产权局信息显示,厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制作方法”的专利,公开号CN 119092614 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,一种LED 芯

片及其制作方法,LED芯片的第二型半导体层包

括正对第二电极的第一

区域和剩余的第二区

域;电流阻挡保护层组

包括阻挡层和保护层;

阻挡层位于第一区域;保护层至少覆盖第二区域,并导通透明

导电层和第二型半导体层;透明导电层仅层叠于第二区域的保

护层上,第二电极通过透明导电层和/或保护层与第二型半导

体层导通。电流阻挡保护层组,将第二型半导体层全部覆盖,避

免制作透明导电层时等离子体轰击到第二型半导体层产生缺

陷。电流阻挡保护层组通过分区域设置阻挡层和保护层使得电

流阻挡保护层组既能保护第二型半导体层,又能阻挡电流。

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