泉州三安半导体申请发光二极管及发光装置专利,有利于发光二极管应用于设备时的集成化和小型化

泉州三安半导体申请发光二极管及发光装置专利,有利于发光二极管应用于设备时的集成化和小型化
2024年12月10日 10:56 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月10日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,公开号CN 119092610 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管的半导体叠层具有第一发光区、第二发光区、以及设置于第一发光区和第二发光区的间隔区,第一发光区与第一电极以及与第二电极电连接,第二发光区与第二电极以及与第三电极电连接,第一发光区和第二发光区共用第二电极,且第一发光区和第二发光区的发光亮度不同。第一电极和第三电极单独控制,实现对第一发光区和第二发光区的单独控制;同时由于单个发光二极管中包含两个单独控制的发光区,能够减少5%至30%的容量,有利于发光二极管应用于设备时的集成化和小型化;第一发光区和第二发光区的发光亮度不同,在一个发光二极管中即可实现高低亮度的动态切换,有助于实现更加紧凑和高效的照明。

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