本文源自:金融界
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，弘元新材料（徐州）有限公司、弘元绿色能源股份有限公司申请一项名为“一种匹配单晶硅电池片扩散高方阻提效的加工工艺”的专利，公开号CN 119092586 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种匹配单晶硅电池片扩散高方阻提效的加工工艺，包括以下操作步骤：将待扩散的硅片放于扩散炉中，升温至780℃，同时通入3000sccm大N2和1000sccm小N2闭管抽低压；待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至820℃，同时通入2000sccm大N2，600sccm的小N2，时间为300s。本发明所述的一种匹配单晶硅电池片扩散高方阻提效的加工工艺，高阻可以有效的提高电池转换效率，而高方阻低表浅结的设计可以有效降低了表面的杂质复合中心，提高了表面少子的存活率，同时增加短波的响应，如此有效的增加了Isc和Uoc，达到提效率的目的，通过LECO与烧结温度进行匹配，在提高Uoc、Isc的同时，可有效提高FF，达到效率提效0.03%目的。
