北京屹唐半导体申请等离子体产生及处理半导体工件专利,优化去灰均匀性

北京屹唐半导体申请等离子体产生及处理半导体工件专利,优化去灰均匀性
2024年12月10日 16:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月10日消息,国家知识产权局信息显示,北京屹唐半导体科技股份有限公司申请一项名为“等离子体产生系统和设备及用于处理半导体工件的方法”的专利,公开号CN 119095247 A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,本公开涉及一种等离子体产生系统和用于处理半导体工件的方法。其中,等离子体产生系统包括主体部分和主体腔室;等离子体生成部分和等离子体生成腔室;气体供应系统,用于将工艺气体输送至等离子体生成腔室内;气体分配组件用于将工艺气体分配至等离子体生成腔室内;等离子体源,配置为使工艺气体产生等离子体;导向装置,配置用于引导等离子体的流向;以及连接部件,配置为连接等离子体生成部分和导向装置;其中,导向装置包括基体和导向部分。本公开的等离子体产生系统能够在不调整原有工艺条件和参数的情况下,通过导向装置的移动,调整处理腔室内的等离子体分布密度,从而优化去灰均匀性。

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