浙江奥首申请等离子切割保护液及其应用专利,避免金属离子沿芯片表面迁移析出

浙江奥首申请等离子切割保护液及其应用专利,避免金属离子沿芯片表面迁移析出
2024年12月11日 20:15 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月11日消息,国家知识产权局信息显示,浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“等离子切割保护液及其应用”的专利,公开号CN 119101410 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本申请公开了一种等离子切割保护液及其应用,以质量份计,等离子切割保护液包括如下组分:5‑12份的水溶性树脂,1‑5份的聚合物电解质,0.05‑0.25份的缓蚀剂,0.01‑0.1份的流平剂,0.01‑0.1份的增塑剂,5‑10份的有机溶剂,50‑80份的超纯水;其中,聚合物电解质用于吸附并传导金属离子向远离晶圆表面的方向迁移,以使金属离子与金属键合结构不接触。本申请中采用的聚合物电解质具有强吸附性,能够对金属离子紧密吸附,使得金属离子优先沿着聚合物电解质分子链从膜层底部向膜层顶部迁移,避免了金属离子沿着芯片表面迁移析出的问题。

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