本文源自:金融界
金融界2024年12月11日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中晶半导体材料有限公司申请一项名为“一种无需掺杂装置的高纯锑掺杂方法”的专利，公开号 CN 119101986 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种无需掺杂装置的高纯锑掺杂方法，具体包括以下步骤，S1、熔料：加热升温将准备好的多晶硅在石英坩埚中熔化为液态；S2、调温：使熔硅温度逐渐降低，最终维持其略高于结晶温度；S3、掺杂准备：完成掺杂的材料、设备、工艺准备；S4、掺杂：快速下降重锤、高纯锑块和籽晶的组合体，完成掺杂操作。本发明的有益效果是：高纯锑浸入熔硅前为固态，无溅硅的发生避免掺杂杂质的损失；高纯锑浸入熔硅后控制蒸发的措施，进一步降低掺杂杂质的损失；取消掺杂装置，更低的损耗；提前准备适量的锑块，无安装、拆除掺杂装置的时间，提高了效率；掺杂后可迅速进入引晶工序，无额外的单晶炉准备时间。
