本文源自:金融界
金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 119108274 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的成品率低的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底具有相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面形成沟槽；向位于沟槽的槽底的基底内部注入预设离子，形成注入区；将预设离子与基底进行反应，以使注入区形成标记层；将第二表面减薄，直至暴露标记层。标记层在对基底的第二表面减薄时用作停止标记，可以控制减薄的厚度，使得减薄后的基底具有所需厚度，以保证可以在基底制作器件结构，从而提高半导体结构的成品率。
