浙江创芯申请半导体结构及其制造方法专利，提升器件性能_

本文源自:金融界

金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN 119108273 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该制造方法在形成栅极结构之前，先通过刻蚀衬底以得到位于沟道区两侧的凹陷部，使得源漏区的衬底顶面低于沟道区的衬底顶面后续形成的栅极结构中，栅介质层共形覆盖于沟道区的衬底顶面与衬底侧面，栅电极层位于栅介质层表面且栅电极层的最低点高于源漏区的衬底顶面。由于沟道区的衬底顶面高于源漏区的衬底顶面，使得栅介质层不仅覆盖于沟道区的衬底顶面，还能够覆盖于沟道区的衬底侧面，从而在同等器件面积下增加了栅极沟道的长度，有助于在提高晶体管密度（相同面积下的晶体管数量更多）的同时改善短沟道效应，提升器件性能。另外，本发明的半导体结构的制造方法工艺简单，有助于降低制造成本。