本文源自:金融界
金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深沟槽隔离及其制造方法”的专利，公开号CN 119108412 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种深沟槽隔离，包括P型的衬底，在衬底表面进行N型杂质注入形成有N型的埋层，在衬底上形成有P型的外延层，在外延层上形成有N型的深阱；在深阱上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区；在深阱上形成有深沟槽，深沟槽自浅沟槽的隔离的上表面延伸至衬底上；在深沟槽的表面形成有均匀的N型掺杂层；在深沟槽的底部形成有P型掺杂层，深沟槽中填充有深沟槽隔离；形成于深阱上的N阱，N阱上形成有N型重掺杂区。本发明提高了深沟槽隔离的PN结击穿电压。
